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    双极型功率晶体管的基极驱动电路2019/7/16 21:33:14
    双极型功率晶体管的基极驱动电路对基极驱动电路的要求NT5TU32M16DG-AC①BJT导通时,正向注入的电流值在最大负载下应维护玎T饱和导通,电流的上升率应充分大,...[全文]
    IGBT的开关特性2019/7/16 21:09:14
    开关特性IGBT的开关特性如图⒈32所示。IGBT在导通过程中,大部分时间是作为MOsFET来运行的,只是在集射电压Uσ下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和区,又增加了一段延缓...[全文]
    ​功率场效应晶体管的结构2019/7/15 21:03:22
    功率场效应晶体管的结构L6571BDVDMOS结构采用垂直导电的双扩散MOS结构,利用两次扩散形成的P型区和N+型区,在硅片表面处的结深之差形成沟道,电流在沟道内沿表面流动,然后垂...[全文]
    PN结反向具有一定的耐压能力2019/7/15 20:56:51
    二次击穿理论上,如果BJT工作在最大允许耗散功率范围以内,BJT就不会因热效应而失效。L5945TR-LF2但大量实践表明,许多BJT即使工作在最大允许耗散功率范围以内也可能被烧坏...[全文]
    反向偏置安全工作区2019/7/15 20:54:36
    反向偏置安全工作区(RBSOA)EUP7910A-33CIR1器件在关断时,为提高关断速度和可靠性,需要使基极处于反向偏置,因此反向偏置安全工作区是器件关断时允许的工作范围,也称为...[全文]
    逆导晶闸管2019/7/14 19:12:39
    逆导晶闸管逆导晶闸管(RerseConductingT”ristor,RCT)是将晶间管和整流管制作在同一管芯上的集成元件,其等效电路及伏安特性如图⒈13所示。LM1117MP-A...[全文]
    该课程对本专业学生的学习要求是2019/7/14 18:42:39
    该课程对本专业学生的学习要求是:①了解电力电子技术的发展动向;LD1117SC-R②熟悉和掌握常用电力电子器件的工作机理、特性和参数,能正确选择和使用它们;...[全文]
    所有变换器都可以按照电能变换功能分成如下4类2019/7/14 18:34:29
    变换器所有变换器都可以按照电能变换功能分成如下4类。①交流一直流变换器(AGDCConvertcr):将交流电变换为固定的或可调的直流电,也称为整流器(RectiⅡα...[全文]
    电力电子技术的内涵2019/7/14 18:29:13
    电力电子技术的内涵电力电子技术是一门融合了电力技术、电子技术和控制技术的交叉学科,是使用电力电子器件、LD1117AS33TR电路理论和控制技术对电能进行处理、控制和变换的技术。它...[全文]
    An为脉冲中第屁次谐波的电平2019/7/13 17:30:19
    An为脉冲中第屁次谐波的电平;FO为脉冲信号的基频;%为脉冲的电平;r为脉冲串的周期;莎w为脉冲宽度;Jr为脉冲的上升时间。虽然开关电源具有各式各样的电路形式,但它们的核心部分都是...[全文]
    损毁MOsFET和CMOS的元器件栅极2019/7/13 17:23:55
    静电放电时,通常通过以下4种方式影响电子设各:(1)初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离ESD电弧100mm处产生高达数千伏每米的高电场。(2)电弧注入的...[全文]
    2019/7/13 16:37:01
    对于缝隙天线造成的辐射用近场探头去定位是最为合适的了。在用近场探头探测竦窖、AC201A1IMLG砰搌奠廑柔广??榘沧按?如莒通曩戛在产品设计之初,??橛氲装宓牧悠鞔σ丫玫嫉缃禾踅辛似帘未?..[全文]
    传输到连接器的布线很多从50MHz晶振底下穿过2019/7/13 16:29:07
    传输到连接器的布线很多从50MHz晶振底下穿过,不仅破坏局部地平面的作用,而且必然将50MHz晶振产生的噪声通过容性耦合的方式耦合到穿过它下面的信号线,使这些信号线带有共模电压噪声,而这些信号线...[全文]
    干扰电压的大小不但与共模瞬态干扰的电流大小有关2019/7/11 21:11:00
    共模干扰电流流过地阻抗z。FQB24AN06L两端就会产生压降〃cM≈zOⅤJc对。该压降对共模干扰电流流过地阻抗时产生的压降于集成电路IC2来说相当于在IC1传递给它的电压信号σs上又叠加了一...[全文]
     同时具备能力转移和空穴传递过程的高效三元共混聚合物太阳电池2019/7/10 22:07:34
    同时具备能力转移和空穴传递过程的高效三元共混聚合物太阳电池将具有互补吸收光谱的两种材料整合到一个电池中被视为是提高有机太阳电池能量转化效率的一个有效方法。H5PS5162FFR-Y...[全文]
    ​测试技术的发展趋势2019/7/10 21:58:00
    测试技术的发展趋势外壳的发展围绕着两个方面进行。一是封装形式和封装密度,随着小型化、多引脚、H5PS5162FFR-S5C高密高可靠、耐恶劣环境、长寿命的需求提高,外壳从最初的单列...[全文]
    ​磁性材料2019/7/9 20:27:55
    磁性材料磁性材料的测试标准主要有GB/T3217-19呢、GWT9633―⒛12、GJB1912~%、SJ20805―⒛01、sJ20%6一⒛06等。GB/T3217-19呢主要规...[全文]
    外壳引线电阻失效2019/7/9 20:25:25
    外壳引线电阻失效(1)当产品对引线牢固性有要求时,增加配方瓷粉的比例可提高金属化结合强度,K4B1G1646G-BQH9但同时使引线电阻加大,造成引线电阻超差。(2)...[全文]
    混合集成电路封装外壳2019/7/9 20:11:51
    第二类为混合集成电路封装外壳,依据GJB2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》K4B1G1646E-HQH9进行试验,其检验项目包括外部目检、物理尺寸、密封(细检漏、粗检漏)、温度循环...[全文]
    ​外壳测试参数2019/7/9 20:04:02
    外壳测试参数K4B1G1646E-HCF7在电子领域,封装外壳可靠性的考核依据有GJB14⒛B―9O11《半导体集成电路外壳通用规范》、GJB2狃0A―⒛∝《混合集成电路外壳通用规...[全文]
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