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    射频电缆射频电缆是传输射频范围内电磁能量的电缆,是各种无线电通信系统及电子设备中不可缺少的部分,在无线通信与广播、电视、雷达、导航、计算机及仪表方面广泛应用。H57V2562GTR...[全文]
    指令中如何提供操作数或操作数地址2019/6/5 21:30:56
    寻址方式指令中如何提供操作数或操作数地址,称为寻址方式。Ⅳ-⒛0PI£的寻址方式有:立即寻址、直接寻址、间接寻址。1立即寻址E1116AEBG-8E立即...[全文]
    器件引出端观察2019/5/28 20:31:42
    器件引出端观察H27U2G8F2CTR-BI原厂塑封器件的引脚末端经过切筋工艺后金属本体没有镀层。而翻新塑封器件则需对引脚表面进行镀锡处理,却由于引脚不够长不能再进行切筋I艺,所以...[全文]
    sEM技术的发展趋势 2019/5/23 20:58:39
    sEM技术的发展趋势随着科学技术的进步,SEM也在不断向前发展。当前,SEM技术发展主要在以下几个方面。GAL20V8B-10LJI(I)高性能场发射电子枪。高性能场...[全文]
    去包封层时应注意以下方面2019/5/21 21:40:50
    1)前期工作。D08G60C①开封前进行X射线检查,以确定芯片形状、位置和尺寸、键合丝的高度等信扈、c这些信扈、有助于选择将要在塑封表面铣削的槽所适用的掩?;虻嫒跋诚鞯墓挡凵疃?...[全文]
    碰撞试验是为了确定重复性冲击所引起的累积损伤对产品的影响,2019/5/9 20:33:22
    碰撞试验是为了确定重复性冲击所引起的累积损伤对产品的影响,是比冲击较弱的多次的、AM29LV081B-120EC重复的能量激励。如火车运行时车轮与铁轨连接处的撞击;船舶在海洋中行驶时所受的波浪撞...[全文]
    振动试验的试验条件应包括以下几个方面2019/5/7 21:06:21
    振动试验条件无论何种振动都需要一定的试验条件,这是试验的重要依据之一。振动试验的试验条件应包括以下几个方面。I)试验概述试验概述包括名称、INA110K...[全文]
    发射结反偏时最容易引起二次击穿2019/4/20 19:48:37
    AA2214SYSK由于PSBR<PSBO<PSBF,发射结反偏时最容易引起二次击穿,这是由于反偏时电流在基区电阻上产生横向压降使电流聚集在发射区中间,电...[全文]
    激子产生――光吸收过程2019/4/14 17:29:19
    B1678B激子产生――光吸收过程太阳能电池是将光能转换为电能,其中光吸收是最关键的一步。材料对太阳光的吸收效率越高,产生的激子就越多,这是性能优良的太...[全文]
    使稀土离子的跃迁禁阻的激发态填入电子2019/4/8 20:57:51
    K5D1G12ACD-D075除了La3+、Lu3+、和Gd⒒离子外,其他所有的镧系稀土配合物的最低激发态都是以稀土金属为中心的f或者⒈d跃迁u刀。正常情况下,这些态...[全文]
    过渡金属配合物的MC态跃迁发光2019/4/8 20:43:59
    K4G163222A-QC70过渡金属配合物的MC态跃迁发光过渡金属形成的配合物中,缘于金属的次外层含有未成对电子,许多过渡金属都是顺磁性的,顺磁性有猝...[全文]
    什么是工质?工质应具备什么特性?2019/4/5 16:44:07
    G1084T43UF什么是工质?工质应具备什么特性?答:工质是能实现热能和机械能相互转换的媒介质,如燃气、蒸汽。工质应具备良好的膨胀性和流动性。...[全文]
    专用检测仪器诊断及人工的深人诊断来综合进行2019/4/4 20:13:34
    L7808CV对于ASR故障的诊断,往往需要通过AsR电路图的分析,采用一定的步骤,利用ASR的自诊断、专用检测仪器诊断及人工的深人诊断来综合进行。其AsR故障诊断及...[全文]
    用螺钉旋具或导线将制动灯电源线接线柱与搭铁刮火2019/4/3 20:38:06
    A1392R故障原因制动灯灯丝烧断、搭铁不良、制动灯开关失灵或线路中有断路。故障诊断排除检查时,先拆下制动灯灯泡。检查灯丝,若灯丝完好,可在踏下制动踏板...[全文]
    CD4052BE、MC14052BE都是完全兼容的2019/2/20 14:40:45
    一款模拟开关器件(内部结构是双四选一),和CD4052BE、MC14052BE都是完全兼容的。它的引脚图和真值表如下,看看就能明白——向左转|向右转...[全文]
    器件关闭时要求多晶硅薄膜沟道2019/1/29 9:37:14
    器件关闭时要求多晶硅薄膜沟道(管状)处于全耗尽状态;因此,多晶硅薄膜厚度(TCH)要尽量薄。JM38510/01203BCA此外,进一步增加存储单元密度的强劲需求,也在不断推动缩小多晶硅薄膜沟道...[全文]
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    工作内容2018/10/13 17:54:54
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