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    产品: IGBT Silicon Modules
    配置: Hex
    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
    集电极—射极饱和电压: 2.45 V
    在25 C的连续集电极电流: 605 A
    栅极—射极漏泄电流: 400 nA
    Pd-功率耗散: 2250 W
    封装 / 箱体: EconoPACK+
    最小工作温度: - 40 C
    最大工作温度: + 125 C
    封装: Tray
    高度: 17 mm
    长度: 162 mm
    技术: Si
    宽度: 150 mm
    商标: Infineon Technologies
    安装风格: Chassis Mount
    栅极/发射极最大电压: 20 V
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